Стаття Наукова стаття

Electroluminescence of InGaN/GaN heterostructures at the reverse bias and nitrogen temperature

ID елемента: 1687
1 Медіафайлів
2022/02/09
optappl_4504p535
optappl_4504p535
Властивості
Тип
Українська
Наукові статті
Українська
Article
Назва
Англійська
Electroluminescence of InGaN/GaN heterostructures at the reverse bias and nitrogen temperature
Українська
Електролюмінесценція гетероструктур InGaN / GaN при зворотному зміщенні та азотній температурі
Автор
Українська
Борщ, В.В.
Українська
Велещук, В.П.
Українська
Власенко, О.І.
Українська
Киселюк, М.П.
Українська
Хміль, Д.Н.
Опис
Українська
The electroluminescence spectra at reverse biases in LED InGaN/GaN heterostructures at liquid nitrogen temperatures were studied. At the reverse bias and T = 77 K, avalanche microplasmas breakdowns were observed. Electroluminescence spectra demonstrate two peaks caused by the recombination of carriers in different parts of the structure (quantum well and p-GaN layer).The temperature narrowing the half-width and the shift of еlectroluminescence spectra peaks inherent to microplasmas were observed.
Мова
en
Дата випуску
2015
Ключові слова
Українська
гетероструктури InGaN / GaN
Англійська
defect
Англійська
electroluminescence at reverse bias
Англійська
InGaN/GaN heterostructures
Українська
електролюмінесценція при зворотньому зміщенні
Українська
дефект
Видавець
Українська
Польща : Вроцлавський технологічний університет
Бібліографічний опис
Українська
Electroluminescence of InGaN/GaN heterostructures at the reverse bias and nitrogen temperature // V.V. Borshch [et al.] // Optica Applicata : international scientific journal. - 2015. - Vol. XLV, No. 4. - P. 535-543.
УДК
621.3
Набори елементів 1
Кафедра автоматики, електроніки та телекомунікацій
15 642 items
Медіафайли
optappl_4504p535
optappl_4504p535
Інформація про метадані
Створено
2022-2-9 18:48
Остання зміна
2026-3-24 12:11
(Оновлено 1503 днів після створення)
Дата видачі (DC)
2015
ID елемента
#1687
Клас ресурсів
Стаття
Шаблон ресурсу
Наукова стаття